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昆明物理研究所二類超晶格ICP刻蝕機采購項目 國際招標(biāo)公告(1)

   日期:2024-10-09     來源:中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)    作者:dlztb    瀏覽:0    
核心提示:對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo),于2024-10-08在公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式,現(xiàn)邀
對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo),于2024-10-08在公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式,現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。1、招標(biāo)條件項目概況:二類超晶格ICP刻蝕機,數(shù)量:1臺。資金到位或資金來源落實情況:資金已落實。項目已具備招標(biāo)條件的說明:已具備招標(biāo)條件。2、招標(biāo)內(nèi)容招標(biāo)項目編號:0653-244053A11017招標(biāo)項目名稱:昆明物理研究所二類超晶格ICP刻蝕機采購項目 項目實施地點:中國云南省招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
序號 產(chǎn)品名稱 數(shù)量 簡要技術(shù)規(guī)格備注
1 二類超晶格ICP刻蝕機 1臺 用于紅外焦平面探測器芯片高深寬比、高均勻性、低損傷探測器芯片刻蝕工藝。感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機采用模塊化設(shè)計,整機包括工藝模塊、傳輸模塊和軟件控制模塊;晶片在工藝模塊內(nèi)進(jìn)行刻蝕,工藝時,在晶片上方產(chǎn)生等離子體,對晶片進(jìn)行刻蝕;自動傳輸模塊裝有機械手,實現(xiàn)晶片在其和工藝模塊之間的傳輸;感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機具備智能化的軟件操作系統(tǒng),實現(xiàn)單片晶圓的自動刻蝕工藝。交貨期為合同生效后6個月內(nèi); 交付地點為用戶最終使用現(xiàn)場
3、投標(biāo)人資格要求投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:(1)投標(biāo)人為設(shè)備制造商或授權(quán)代理商。(2)若投標(biāo)人為代理商或貿(mào)易公司,投標(biāo)人應(yīng)取得設(shè)備制造廠商對本次投標(biāo)設(shè)備的正式授權(quán)書。設(shè)備制造廠商只能授權(quán)一家代理商或貿(mào)易公司參與本次投標(biāo)。是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以4、
未曾在中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)(www.dlztb.com)上注冊會員的單位應(yīng)先注冊。登錄成功后根據(jù)招標(biāo)公告的相說明下載投標(biāo)文件!

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備注:欲購買招標(biāo)文件的潛在投標(biāo)人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術(shù)服務(wù)費后,查看項目業(yè)主,招標(biāo)公告,中標(biāo)公示等,并下載資格預(yù)審范圍,資質(zhì)要求,招標(biāo)清單,報名申請表等。為保證您能夠順利投標(biāo),具體要求及購買標(biāo)書操作流程按公告詳細(xì)內(nèi)容為準(zhǔn),以招標(biāo)業(yè)主的解答為準(zhǔn)本。

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