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8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線之低應力氮化硅生長爐和原位摻雜多晶硅生長爐國際招標公告(2)

   日期:2024-05-10     來源:中國電力招標采購網(wǎng)    作者:dlztb    瀏覽:0    
核心提示:蘇美達國際技術貿(mào)易 對下列產(chǎn)品及服務進行國際公開競爭性招標,于2024-05-10在公告。本次招標采用
蘇美達國際技術貿(mào)易 對下列產(chǎn)品及服務進行國際公開競爭性招標,于2024-05-10在公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式,現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。1、招標條件項目概況:設備名稱:低應力氮化硅生長爐、原位摻雜多晶硅生長爐設備數(shù)量:設備1 原位摻雜多晶硅生長爐(1臺):包含低應力多晶硅/多晶硅/原位摻雜多晶硅工藝模塊和TEOS工藝模塊;設備2 低應力氮化硅生長爐(1臺):包含低應力氮化硅工藝模塊和氮化硅工藝模塊。設備用途:用于生長低應力氮化硅/原位摻雜多晶硅/低應力多晶硅/多晶硅/TEOS薄膜。資金到位或資金來源落實情況:已到位項目已具備招標條件的說明:已具備2、招標內(nèi)容招標項目編號:0664-2440SUMECF28/06招標項目名稱:8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線之低應力氮化硅生長爐和原位摻雜多晶硅生長爐項目實施地點:中國安徽省招標產(chǎn)品列表(主要設備):
序號 產(chǎn)品名稱 數(shù)量 簡要技術規(guī)格備注
1 低應力氮化硅生長爐 1 薄膜應力范圍 -40~+40MPa (4μm Poly退火后,應力可調(diào))。其他參數(shù)詳見第八章
2 原位摻雜多晶硅生長爐 1 應力范圍 -100~0MPa,應力可調(diào)。其他參數(shù)詳見第八章
3、投標人資格要求投標人應具備的資格或業(yè)績:① 投標人如為境內(nèi)企業(yè),提供企業(yè)法人營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書,如為境外企業(yè)提供企業(yè)注冊登記證。② 投標人可以是設備制造廠家,也可以是設備授權代理商,代理商需有設備原廠家的有效授權書。③ 投標人開戶行開具的,出具日期在開標前三個月內(nèi)的資信證明原件或該原件的復印件。④ 投標人需要具有履行合同所必需的設備技術支持和服務能力(提供承諾書,格式自理)。⑤ 單位負責人授權書原件。是否接受聯(lián)合體投標:不接受未領購招標文件是否可以參加投標:不可以4、
未曾在中國電力招標采購網(wǎng)(www.dlztb.com)上注冊會員的單位應先注冊。登錄成功后根據(jù)招標公告的相說明下載投標文件!

項目 聯(lián)系人:李楊  
咨詢電話:010-51957458 
傳真:010-51957412 
手機:13683233285 
QQ:1211306049 
微信:Li13683233285 郵箱:1211306049@qq.com

備注:欲購買招標文件的潛在投標人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術服務費后,查看項目業(yè)主,招標公告,中標公示等,并下載資格預審范圍,資質要求,招標清單,報名申請表等。為保證您能夠順利投標,具體要求及購買標書操作流程按公告詳細內(nèi)容為準,以招標業(yè)主的解答為準本。

編輯:chinabidding.co
 
 
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