受招標(biāo)人委托對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國(guó)際公開競(jìng)爭(zhēng)性招標(biāo)，于2023-03-08在 公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1、招標(biāo)條件
項(xiàng)目概況:宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 芯片量測(cè)設(shè)備項(xiàng)目（重新招標(biāo)）
資金到位或資金來源落實(shí)情況:已落實(shí)
項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明:已具備
2、招標(biāo)內(nèi)容
招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào):0623-2340J1110035
招標(biāo)項(xiàng)目名稱:宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 芯片量測(cè)設(shè)備項(xiàng)目（重新招標(biāo)）
項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國(guó)江蘇省
招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
| 序號(hào) | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡(jiǎn)要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
| 1 | DFI缺陷檢測(cè)設(shè)備 | 2臺(tái) | 該設(shè)備可用于半導(dǎo)體功率器件200mm有圖形晶圓制造過程中的全自動(dòng)缺陷檢測(cè)（暗場(chǎng)）。 | 其他詳見技術(shù)規(guī)格書。 ★本表中所有設(shè)備不分包。所有設(shè)備不得拆分投標(biāo)。 |
| 2 | SEM review | 1臺(tái) | 該設(shè)備可用于半導(dǎo)體功率器件200mm有圖形晶圓制造過程中的全自動(dòng)缺陷觀察。 | |
| 3 | AOI | 2臺(tái) | 用于8英寸IGBT芯片制造過程中的全自動(dòng)缺陷檢測(cè) | |
| 4 | 顆粒儀 | 2臺(tái) | 該設(shè)備需要配置完整的傳送系統(tǒng)和量測(cè)系統(tǒng)，用于晶圓表面顆粒檢測(cè)。 | |
| 5 | 膜厚儀 | 2臺(tái) | 完整的全自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)，需滿足下文工藝需求所要求的技術(shù)條件，該測(cè)量系統(tǒng)用于無(wú)損自動(dòng)測(cè)量IGBT和FRD硅片上膜層（多晶，氧化層，Nitride，BPSG，光刻膠等）的膜層厚度、折射率n、消光系數(shù)k。 | |
| 6 | Overlay（包含光刻工藝仿真軟件） | 1臺(tái) | 該機(jī)臺(tái)需要配置完整的傳送系統(tǒng)和量測(cè)系統(tǒng)用于測(cè)量套刻精度。該設(shè)備可用于IGBT和FRD硅片的套刻精度測(cè)量。 |
3、投標(biāo)人資格要求
投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績(jī):芯片量測(cè)設(shè)備:
1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時(shí)間前36個(gè)月為有效，以合同或訂單甲方簽訂時(shí)間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表等其他有效證明材料的落款時(shí)間為準(zhǔn)）芯片量測(cè)設(shè)備業(yè)績(jī)合計(jì)不低于100臺(tái)。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表）
2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。
是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受
未領(lǐng)購(gòu)招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以
4、
備注：您的權(quán)限不能瀏覽詳細(xì)內(nèi)容,非正式會(huì)員請(qǐng)聯(lián)系辦理會(huì)員入網(wǎng)注冊(cè)事宜，并繳費(fèi)成為正式會(huì)員后登錄網(wǎng)站會(huì)員區(qū)可查看招標(biāo)公告、招名方式或下載報(bào)名表格等詳細(xì)內(nèi)容！為保證您能夠順利投標(biāo)，具體要求及購(gòu)買標(biāo)書操作流程按公告詳細(xì)內(nèi)容為準(zhǔn)。
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